Каталог :: Радиоэлектроника

Реферат: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А

                              
                      Министерство высшего образования РФ.                      
                   Уральский государственный университет – УПИ                   
                      Кафедра “Технология и средства связи”                      
                           Расчетно-графическая работа                           
                             Полупроводниковый диод                             
     

«КД213А»

Преподаватель: Болтаев А.В. Студент: Черепанов К.А. Группа: Р-207

Екатеринбург

2000

Аннотация

В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода. Содержание 1. Краткая характеристика диода............................................4 2. Паспортные параметры:...................................................4 2.1. Электрические....................................................4 2.2. Предельные эксплуатационные................................. 4 3. Вольт-амперная характеристика...........................................5 3.1. При комнатной температуре..................................... 5 3.2. При повышенной...................................................6 4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6 5. Определение величины TKUпрям TKIобр............................ 6 6. Определение сопротивления базы rб.................................... 9 6.1. Приближенное.....................................................9 6.2. Точное...........................................................9 7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.... 10 8. Библиографический список...............................................10 9. Затраты времени на:....................................................10 9.1. Информационный поиск......................................... 10 9.2. Расчеты.........................................................10 9.3. Оформление......................................................10

Краткая характеристика диода

Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса. Масса диода не более 4 г.

КД213А[1]

Рисунок 1

Паспортные параметры:

Электрические

Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более: Т=+25°С....................................1В Постоянный обратный ток при, не более: Т=+25°С..................................0,2мА Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А: КД213А..................................300нс Емкость диода, не более: при Uобр=100 В..........................550 пФ при Uобр=5 В............................1600 пФ

Предельные эксплуатационные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение.............200В

Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ..........10А

Импульсный прямой ток при tи≤ 10мс, Q≥1000.............100А

Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,.....................................10А Частота без снижения электрических режимов...........100кГц

Тепловое сопротивление

переход-среда: .........................70К/Вт переход-корпус: ........................1,5К/Вт

Температура перехода: .......................+140°С

Температура окружающей среды: ................-60°С.+85°С

Общая таблица параметров

Предельные значения параметров при Т=25˚СTk max (Tпмах) [Тмах]˚СЗначения параметров при Т= 25˚СR т п-к, ˚С/Вт

I пр, ср max

А

Uобр, и, п мах, В Uобр мах, ВIпрг (Iпр, уд)мах, Аfмах, кГцUпр (Uпр, ср) [Uпр, и], Вtвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мксI обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА
Т˚Сtи(tпр), мсIпр (Iпр, ср) [Iпр, и], АIпр, и, АUпр, и, В
1085200200100101001401100,31200,21,5

Вольт-амперная характеристика

При комнатной температуре

При повышенной

Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С
Зависимость R= от Uпр
Uпр

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1

R=

0,3

0,2333333

0,16

0,1125

0,090909

0,073333

Зависимость r~ от Uпр
Uпр

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

r~

0,1

0,0666667

0,05

0,044444

0,038462

Зависимость R= от Uобр
Uобр

50

100

150

200

250

300

R=

3571429

6666666,7

8333333

4878049

2777778

1304348

Зависимость r~ от Uобр

Uобр

50

100

150

200

250

r~

50000000

25000000

5555556

2631579

1157407

Зависимость Cдиф от Uпр

Uпр

0,6

0,7

0,8

0,9

1

1,1

Сдиф

0,08

0,12

0,2

0,32

0,44

0,6

Зависимост Сб от Uобр

Определение величины TKUпрям TKIобр

Определение сопротивления базы rб

Приближенное

Точное

Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема

Библиографический список

1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с. 2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил. 3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158) 4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил. 5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.

Затраты времени на:

a) Информационный поиск-72 часf

b) Расчеты-1час (67 мин.)

c) Оформление- 6 часов (357мин.)


[1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США