Каталог :: Радиоэлектроника

Доклад: Тиристоры

     Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров .
Приборы с четырехслойной структурой  р-п-р-п  представляют  собой один
из видов многочисленного семейства полупроводниковых приборов, свой­ства
которых определяются наличием в толще полупроводниковой пластины смежных слоев
с различными типами проводимости. Основу такого прибора со­ставляет кремниевая
пластина, имеющая четырехслойную структуру, в которой чередуются слои с
дырочной р и электронной n проводимостями (рис. l.a)  Эти четыре слоя
образуют три р-п перехода J1,J2, J3. Выводы в приборах с че-
тырехслойной структурой делаются от двух крайних областей (р и n), а в
боль­шинстве приборов - и от внутренней области р. 
     
Крайнюю область р структуры, к которой подключается положительный полюс
источника питания, принято называть анодом  A  , крайнюю область n, к
которой подключается отрицательный полюс этого источника,-катодом К, а
вывод от внутренней области р-управляющим электродом УЭ. Естественно,
что для полупроводникового прибора такие определения носят ус­ловный характер,
однако они получили широкое распространение по аналогии с тиратронами и ими
удобно пользоваться при описании схем с этими приборами.
Согласно ГОСТ 15133-77 все переключающие полупроводниковые приборы с двумя
устойчивыми состояниями, имеющие три или более р-п перехода, на
Рис.. Схематическое устройство полупроводникового прибора с четырехслой- ной
структурой (а), представление его в виде двухтранзисторной схемы (б, в) 
зываются тиристорами. Приборы с двумя выводами (анод и катод) назы­ваются
диодными тиристорами или динисторами, а приборы с тремя выводами (анод,
катод, управляющий электрод) - т р и о д н ы м и  - тристорами или
тринисторами.
Полупроводниковый прибор с четырехслойной структурой может быть мо­делирован
комбинацией двух обычных транзисторов с различными типами про­водимости (рис.
1.б.в); VT1 со структурой p-n-pi и VT2 со структурой 
п-р-п. У транзистора VT1 переход J1 является эмиттерным, а переход
J2 коллекторным, у транзистора УТ2 эмиттерным служит переход J3, 
а коллекторным J2, таким образом, оба транзистора имеют общий
коллекторный переход J2 (рис. 1.б). Крайние области четырехслойной
полупроводниковой структуры являются эмит­терами, а внутренние-базами и
коллекторами составляющих транзисторов VT1 и VT2. 
База и коллектор транзистора VT` соединяются соответственно с
коллекто­ром и базой транзистора VT2, образуя цепь внутренней
положительной обратной связи (рис. 1.б.в). Действительно, из рис. l.в видно,
что коллекторный ток Ik1 транзистора VT1 одновременно является
базовым током Iб2, отпирающим тран­зистор VT2, а коллекторный
ток  Ik2 последнего-базовым током  Iб1, отпирающим
трамзистор VT1, т. е. база каждого транзистора питается коллек­торным
током другого транзистора.
2. Вольт-амперные характеристики .диодных и триодных тиристоров
Режим работы динисторов и тринисторов хорошо иллюстрируется их 'статическими
вольт-амперными характеристиками, из которых можно получить представление об
основных параметрах этих приборов. На рис. 5,а приведена типовая вольт-амперная
характеристика динистора. Здесь по горизонтальной оси .отложено напряжение 
и между его анодом и катодом (анодное напряжение), а по вертикальной-ток I,
протекающий через прибор. Область характеристики при положительных анодных
напряжениях образует прямую ветвь, а при отрицательных - обратную ветвь
характеристики. На характеристике можно выде­лить четыре участка, обозначенные
на рис. 5,a арабскими цифрами, каждый из  которых соответствует особому
состоянию четырехслойной полупроводниковой структуры.
Участок 1 характеристики соответствует закрытому состоянию (в прямом
.направлении) динистора. На этом участке через динистор протекает небольшой ток
Iзс -ток прибора в закрытом состоя­нии. В закрытом состоянии сопротивление
промежутка анод-катод прибора велико и обратно пропорционально значению тока
Iзс . В пределах участка 1 увеличение анодного напряжения мало
влияет на ток, пока не будет достигну­то напряжение (точка а 
характеристики), при котором в четырехслойной по­лупроводниковой структуре
наступает лавинообразный процесс нарастания тока, и динистор переключается в
открытое состояние. Прямое напряжение, соответствующее точке а характеристики,
называется напряжением переключения Uпри, а ток, протекающий при этом через
прибор,-током переключения Iпри.
В процессе переключения динистора в открытое состояние незначительное увеличение
тока сопровождается быстрым уменьшением напряжения на аноде прибора (участок
2), так как составляющие транзисторы переходят в режим насыщения (рис. l.б.в).
Сопротивление динистора в пределах участка 2 стано­вится отрицательным.
Участок 3 вольт-амперной характеристики соответствует открытому
состоя­нию прибора. В пределах этого участка все три р-п перехода
полупроводнико­вой структуры включены в прямом направлении и относительно малое
напря­жение, приложенное к прибору, может создать большой ток Iос в открытом
со­стоянии, который при данном напряжении источника питания практически
оп­ределяется только сопротивлением внешней цепи. Падение напряжения на
от­крытом приборе-напряжение в открытом состоянии Uос, как и у обычного
диода, незначительно зависит от прямого тока. Что касается значения
наи­большего постоянного тока, который может пропускать прибор в этом режиме,
то, как обычно в полупроводниковых структурах, он определяется площадью
     р-п перехода и условиями охлаждения прибора.
Динистор сохраняет открытое состояние, пока прямой ток Iпр будет
     больше некоторого минимального значения-удерживающего тока Iуд (точка 
б на характеристике). При снижении тока до значения Iпр < Iуд
динистор скач­ком возвратится в закрытое состояние.
Таким образом, динистор может находиться в одном из двух устойчивых состояний.
Первое (участок 1) характеризуется большим напряжением на при­боре 
(Uзс) и незначительным током '(Iзс), протекающим через него, а
второе (участок 3) -малым напряжением на приборе (Uос) и большим током 
(Iос). Рабочая точка на участке 2 вольт-ампердой характеристики
находиться не мо* жет.
     
Участок 4 характеризует собой режим динистора, когда к его электродам
приложено напряжение обратной полярности Uобр (плюс к катоду, минус к аноду) ,
- непроводящее состояние в обратном направлении. Режим полупроводникового
прибора с четырехслойной структурой при подаче напряжения обратной полярности
определяется запирающими свойства­ми р-п перехода J1 (рис. 1.а). Таким
образом, обратная ветвь вольт-амперной характеристики фактически определяет
режим перехода J1, включенного в об­ратном направлении, и имеет такой же
вид, как и обратная ветвь характерис- тми обычного кремниевого диода. Обратный
ток Iобр мал и примерно равен теку в закрытом состоянии. Если увеличивать (по
абсолютному значению) 'напряжение Uoбp, то при некотором его значении Uпроб,
называемым обрат­ным напряжением пробоя (точка а на участке 4), наступает
пробой перехода I1, который может привести к разрушению прибора. Поэтому
пода­вать на полупроводниковые приборы с четырехслойной структурой даже на
короткое время обратное напряжение, близкое к Uпроб , недопустимо. Наибольшее
обратное напряжение, которое может выдерживать прибор, указывается в его
паспортных данных и при эксплуатации не должно превышаться.
Рассмотрим теперь семейство статических вольт-амперных характеристик тринистора,
изображенное на рис. 5,6. Изменяемым параметром семейства явля­ется
значение тока Iy в цепи управляющего электрода.
Вольт-амперная характеристика при токе Iy=0, по существу, представляет
собой характеристику динистора и обладает всеми особенностями, рассмотрен­ными
выше. При подаче управляющего тока и его последующем увеличении 
(I"'y>I''y>I'y>Q) участки I и 2 характеристики
укорачиваются, а напряже­ние переключения снижается 
(U"прк<U'прк<Uпрк). Каждая характеристика, соответствующая большему
току Iy, располагается внутри предшествующей. Наконец, при некотором
значении управляющего тока I'"у вольт-амперная на- рветеристика
тринистора вообще «спрямляется» и становится подобной прямой ветви
характеристики обычного кремниевого диода (рис 5,6). Соответствующее
эначение управляющего тока называется отпирающим током управления 
1'"у=1у.от. Следовательно, при подаче такого тока управления тринистор
переключается из закрытого состоя­ния в открытое при любом значении прямого
(анодного) напряжения, находя­щегося в пределах 0<Uупр<=Uзс. 
Управляющий электрод тринистора выполняет роль своеобразного «под­жигающего»
электрода (аналогично действию сетки в тиратроне). Причем уп­равляющее
действие этого электрода проявляется лишь в момент включения тринистора:
закрыть прибор или изменить значение тока, протекающего через открытый
прибор, изменяя ток управления, невозможно. (Исключение составля­ет
специальный тип приборов--запираемые тиристоры, которые открываются
положительным, а закрываются отрицательным сигналами на управляющем
элек­троде [2].)
Выключить открытый тринистор можно, как и динистор, только сделав пря­мой ток
меньше значения удерживающего тока Iуд (рис. 5.б).
Способ открывания тринисторов током управляющего электрода имеет 
существенные достоинства, так как позволяет коммутировать большие мощно- сти в
нагрузке маломощным управляющим сигналом (коэффициент усиления по мощности
составляет примерно 5X102..2X103).
Важной особенностью почти всех типов полупроводниковых приборов с че-
тырехслойной структурой является их способность работать в импульсных ре­жимах
с токами, значительно превышающими допустимые постоянные токи в 
открытом состоянии. Так, например, динисторы КН102 при постоянном токе не более
0.2А допускают импульсный ток до 10 А, тринисторы типов КУ203 и КУ216 способны
пропускать импульсные токи до 100 А при допустимом посто­янном токе 5 А и т. д.
     
Включение триодных тиристоров постоянным и импульсным токами. На рис. показаны от­пирающий сигнал (ток iу), длительность фронта которого для простоты . при­нята равной нулю, и кривая нара­стания прямого тока, на которой отмечены две точки, соответствующие уровням 0,1 и 0,9 установившегося зна­чения тока Iпр. Время, необходимое для того, чтобы ток тринистора достиг уровня 0,1 уста­новившегося значения, называется в р е м е н е м з а д е р ж к и п о управля- ющему электроду tу.зд. Временной интервал между уровнями 0,1 и 0,9 установившегося значения тока называ­ется в р е м е н е м н а р а с т а н и я п р я м о г о т о к а tпр. За точкой 0,9 Iпр ток растет значительно медленнее, это-время распространения тока на всю проводящую площадь перехода. Уровни, по которым отсчитываются указанные интервалы, показаны на рис. Время включения по управляющему электроду тринистора t у.вкл, которое приводится в справочных данных: t у.вкл=t у.зд+t нр Обычно t у.зд в несколько раз больше t нр и практически определяет время t у.вкл . В течение времени задержки t у.зд во внутренней р-области накапливаете минимальный заряд, достаточный для развития лавинооблазного процесса на­растания тока через структуру. В этом интервале времени через тринистор про- ходит небольшой ток, в основном определяемый током управляющего электро­да (16). Процесс включения среднего перехода I2 (рис. 1.а) только развивает­ся, и, если в течение промежутка времени t у.зд снять управляющий сигнал, три- нистор возвратится в закрытое состояние. Время задержки в некоторых преде­лах зависит от тока управления Iy: возрастает при уменьшении тока Iу и не­сколько сокращается при увеличении тока до значения импульсного отпираю­щего тока Iу.от.и. При токах Iу > Iу.от.и задержка t у.зд практически не меняется. В конце интервала времени t у.зд прямой ток достигает значения тока удер- экания, и в полупроводниковой структуре начинает развиваться лавинообразный процесс нарастания тока.. При больших токах управления, имеющих фронт с крутизной несколько ампер в микросекунду, зона начальной проводимости среднего пере­хода увеличивается. Скорость распространения процесса включения в среднем (коллекторном) переходе зависит от конструкции управляющего электрода структуры и составляет примерно 1 ... 10 мм/мкс. Время включения по управляющему электроду t у.вкл у маломощных три- нисторов составляет 1 ...2 мкс, у приборов средней мощности доходит до 10мкс. Приборы, специально предназначенные для импульсного режима работы, имеют меньшее значение t у.вкл . Например, у тринисторов КУ104 оно не превышает 0,3 мкс, а у тринисторов КУ216 0,15 мкс. Для уверенного отпирания тринистора от источника постоянного тока зна­чения управляющего тока Iу и управляющего напряжения Uу выбираются из условий Iу>=Iу.от Uу>=Uу.от Iу Uу <= Ру где Iу.от - постоянный отпирающий ток управления: Uу.от - постоянное отпи­рающее напряжение управления; Ру - допустимая средняя мощность, рассеи­ваемая на управляющем электроде. В цепях постоянного тока тринисторы могут отпираться различными спосо- бами. Конкретный способ управления во многом зависит от функций устройст­ва. Один из наиболее простых способов, при котором источник анодного пита­ния Uпит одновременно используется и для получения необходимого отпираю­щего тока в цепи управляющего электрода, иллюстрируется схемами на рис. В схеме рис. 9а тринистор включается сразу при подаче анодного пи­тания, если суммарное сопротивление анодной нагрузки и резистора R1 обес­точивает ток управляющего электрода Iу=Uпит/(Rн+R1)>=Iу.от. После открывания прибора напряжение на аноде снижается до значения Uос, все напряжение источника питания практически оказывается приложенным к нагтрузке и в цепи управляющего электрода начинает протекать незначительный ток, равный Iу=Uпит/R1. Для отпирания тринистора в устройстве, показанном на рис. 9,6, необходи­мо кратковременно нажать кнопку S1. Если при этом значение тока Iу, прете- кающего в цепи управления, удовлетворяет приведущему условию , то тринистор пере­ключится в открытое состояние. Обычно для надежного включения достаточно через цепь управляющего электрода пропустить ток Iу=(1.1,1)Iу.от, для че­го сопротивление резистора R1 (рис. 9,6), ограничивающего ток управляющего электрода, рассчитывается по формуле R1 = (0,9 ... 1) Uпит/Iу.от (1) Для схемы рис. 9.в рассчитамное по формуле (1) сопротивление резистора Я, должно быть уменьшено на значение сопротивления анодной нагрузки Rн. Резистор R2 (рис. 9,6) обеспечивает гальваническую связь управляющего электрода с катодом, что увеличивает устойчивость работы тринистора в жду­щем режиме (особенно при повышенной температуре окружающей среды). Ре­комендуемое сопротивление этого резистора указывается в справочных данных некоторых типов тринисторов. Обычно у маломощных приборов оно составляет несколько сотен ом, а у приборов средней мощности-примерно 50...100 Ом. В схеме рис. 9.в тринистор открывается и через нагрузку начинает про­ходить ток при размыкании выключателя .S1. Такой способ отпирания тринистора менее экономичен, чем два предыдущих, поскольку от источника питания по­стоянно потребляется ток, равный Uпит/R1; при закрытом приборе он протекает через замкнутые контакты S1, а при размыкании выключателя-через цепь уп­равляющий электрод-катод тринистора. Сопротивление резистора R1 рассчи­тывается по формуле (1). Широкое распространение получили импульсные способы управления три- нисторами. которые являются наиболее экономичными и позволяют фиксировать момент включения прибора с высокой точностью. Фактически схема рис. 9.б также иллюстрирует импульсный способ отпирания-длительность управляю­щего импульса равна времени, пока замкнуты контакты кнопки S1 . На рис. приведена схема устройства, выполняющего функции дверного кодового замка, которая иллюстрирует многочисленные возможности практиче­ского использования выключателей на тринисторах с кнопочным управлением. Основу замка составляет переключатель на трех тринисторах VS1-VS3, соединенных последовательно. В анодную цепь тринистора VS3 включена об­мотка электромагнита YA1, сердечник которого служит запором для двери. Це­почка последовательно соединенных тринисторов может быть переключена в проводящее состояние только при отпирании каждого из них в определенной последовательности: первым должен быть открыт тринистор VS1, вторым – VS2 и, наконец, - VS3 . Открываются тринисторы с помощью кнопок, оправляющие электроды три- нисторов могут быть подсоединены к контактам любых трех кнопок S0-S9 пульта, установленного на стене с наружной стороны двери. При показанном на схеме соединении управляющих электродов тринисторов с кнопками кодом замка является число 430, и поэтому первой должна быть нажата кнопка .S4, затем-кнопка S3 и последней-кнопка S0. Сопротивления резисторов R1 и R2 обеспечивают выполнение условия Iпр>Iуд, поэтому после включения тринисторов VS1 и VS2 при кратковременном нажатии кнопок S4 и S3 соответственно эта приборы остаются в проводящем состоянии. После нажатия кнопки S0 включа­ется тринистор VS3, напряжение источника питания Uпит через замкнутые кон­такты выключателя SA1 и кнопки S10 подается на обмотку электромагнита YA1, при этом одновременно загорается сигнальная лампа HL1. Электромагнит втя­гивает сердечник и таким образом открывает замок двери. При открывании двери контакты выключателя SA1 размыкаются и разрывают цепь питания, тринисторы вновь выключаются, и после закрывания двери устройство возращается в исходное состояние . Тринистор VS4 служит для того, чтобы исключить возможность открыть замок подбором кода. Контакты кнопок, не использованных в коде, соединены между собой и подключены к управляющему электроду тринистора VS4. Ес­ли при попытке подобрать код будет нажата любая из этих кнопок, то тринистор VS4 откроется и замкнет цепь управления тринисторов VS1-VS3, и тогда ни один из них уже невозможно будет включить. Сопротивление резис­тора R6 рассчитывается по формуле Uпит/R6>Iуд поэтому тринистор VS4 по­сле отключения остается в проводящем состоянии. Такой же результат будет и при одновременном нажатии всех кнопок, так как тринистор VS4 откроется раньше, чем три последовательно соединенных тринистора VS1-VS3. Полезно обратить внимание на то, что этому обстоятельству способствует также и боль­шее значение управляющего тока прибора VS4 по сравнению с тринисторами VS1-VS3. Чтобы устройство возвратить в исходное состояние после включения тринистора VS4, следует нажать кнопку S10 «Вызов», контакты которой раз­рывают цепь питания тринистора VS4, и последний закрывается. Одновременно замыкающие контакты этой кнопки включают звонок HA1 звуковой сигнализа­ции. Кстати, этой кнопкой можно пользоваться просто как кнопкой звонка, ес­ли ход замка не известен. С помощью кнопки S11 замок можно открыть дистанционно из помещения. При нажатии этой кнопки тринисторы VS1-VS3 замыкаются накоротко и на­пряжение питания подается на обмотку электромагнита YA1. Кнопку S11 сле­дует держать нажатой до тех пор, пока дверь не будет открыта. Для изменения кода замка провода, идущие от управляющих электродов тринисторов VS1-VS3, подсоединяют к зажимам 0...9 в соответствии с кодо­вым числом; остальные зажимы соединяют между собой и подключают к уп­равляющему электроду тринистора VS4.