Каталог :: Радиоэлектроника

Курсовая: Схема сопряжения датчика с ISA

                           Схемотехника                            
     1. Базовые элементы ТТЛ 155-й серии. Схемы, принцип работы, назначение
элементов ИЛИ К155ЛА3 и К155ЛР1.
     ТТЛ
Обеспечивает требование быстродействия и потребляемой мощности. В интересах
согласования с ЛЭ других типов используются преобразователи уровня в виде
схемы с простым инвертором или со сложным инвертором. Для реализации можно
использовать диодно-резисторную логику (Шотки) со сложным инвертором.
     ЛЭ ТТЛ с простым инвертором
     Достоинства
1.     Простота технической реализации (на одном кристалле).
2.     Малые паразитные емкости, следовательно большое быстродействие.
Недостатки
1.     Более низкая помехоустойчивость по сравнению с ДТЛ (U+пом
ТТЛ < U+пом ДТЛ, U-пом ТТЛ 
< U-пом ДТЛ)
2.     Малый Kраз (Kраз — число единичных
нагрузок, одновременно подключенных к выходу ЛЭ)
Применяется в тех случаях, когда не требуется высокие устойчивость от
статических помех и Kраз.
     Схема с открытым коллектором.
Можно включать резистор, светодиод, реле, обмотку мощного трансформатора.
Схема ТТЛ явл. дальнейшим развитием ДТЛ. Так ДРЛ (диодно-резисторная логика)
заменена на МЭТ (многоэмиттерный транзистор) с резистором.
     
Рис.1
Для реализации операции  y=x1x2
     
Рис.2
     
Рис.3
База–коллектор VT1 выполняют функцию смещающего диода VD3 с схеме ДТЛ.
Эквивалент диода VD4 ДТЛ в схеме ТТЛ отсутствует.
     Достоинства
1.     Отсутствует сопротивление утечки (в ДТЛ R2).
2.     МЭТ обеспечивает рассасывание неосновных носителей из области базы VT2
     Условия
1.     Положительная логика
2.     
3.     
     
     1 случай
x1=x2=1, т.е. Ux1=Ux2=U1 ® “1”
МЭТ выполняет следующие функции:
1.     Операция “И” 
2.     Усиление сигнала.
3.     VD1, VD2.
4.     VD3 в схеме ЛЭ ДТЛ.
VD1 ® (база-эмиттер VT1)х1,
VD2 ® (база-эмиттер VT1)х2.
Диод смещения VD3 ® база-коллектор VT1
Переход база-эмиттер VT1 смещённый в обратном направлении; переход
база-коллектор VT1 смещён в прямом направлении, Þ режим активный
инверсный
Uк-э МЭТ » 0,1 В
Uа = Uб-к VT1 о + Uб-эVT2 о – Uк-эVT1 » 1,5 В
VT2, R2 реализуют “НЕ”. Принцип такой же, как в ДТЛ (VT2 открыт, насыщен. Rвых
мало (» 5..40 Ом) Þ  Uy = U0 » 0,2В
     2 случай
Ux1 = 0,2В    Ux2 = 4В
(Up – Un)VT1 x1 = UИП – Ux1 =5 – 0,2 = 4,8В
Открыт, т.о. Ua = Uб-эVT1 x1 откр. + Ux1 = 0,8 + 0,2 = 1В
Для того, чтобы открыть VT1б-к и VT2э-б требуется 
VT2 закрыт.
МЭТ находится в открытом  и насыщенном состоянии. Режим активный и насыщенный.
     ЛЭ ТТЛ-типа серии К155
1.     Краз мало в ТТЛ с простым инвертором
2.     Rвых » Rк VT
Для устранения недостатка применяют ТТЛ со сложным инвертором.
     
Рис.4 ЛЭ ТТЛ-типа со сложным инвертором.
     

Состав схемы

1. На VT1 МЭТ и R1 собран коньюнктор . 2. Сложный инвертор (VT2-VT5, R2-R5). 3. Демпфирующий диод VD3. Сложный инвертор включает в себя: 1. VT2 c R2, R3, R4, VT5. С одной стороны фазоразделительный каскад с корректирующей цепочкой VT5, R3, R4. 2. Выходной каскад (VT3, VT4, VD3, R5). a) Эмиттерный повторитель на VT3 (ЭП). b) Инвертор на VT4. Назначение VD1, VD2. Это так называемые демпфирующие диоды — для шунтирования (на корпус) сигнала отрицательной полярности с уровнем более 0,6В. При положительной логике уровни сигналови при UИП = +5В. 1. Входные цепи имеют паразитное С и паразитное L. 2. Наводки (наведённые статические помехи). Первые создает колебательный контур (к/к) Рис. 5 В момент окончания сигнала (Ua – Uk)VD1,2 = 0 – (-0,8) = 0,8В > UVD3 = 0,6В Þ VD1 открыт и Þ RVD О = Rпр = 5..20 Ом и устраняется отрицательная полярность в помехе. Положительная помеха влияния не оказывает вследствие своей малости. МЭТ VT1, R1 предназначены для реализации операции “И”. Он представляет собой диодную сборку. Сравним с ДТЛ 1. (б–э)х1 ® VD1 (ДТЛ). (б–э)х2 ® VD2 (ДТЛ). (б–к)VT1 ® VD3 (диод смещения ДТЛ) 2. Выполняет операцию усиления. 3. При закрывании VT2 c области базы (p) осуществляется рассасывание неосновных носителей Þ VT1 заменяет Rутечки, включенную в цепь базы транзистора VT1 ДТЛ (R3). Режим работы транзистора VT1 1. Режим насыщения. 2. Активный инверсный. 1. Происходит в случае воздействия на вход сигнала низкого уровня. В этом случае б–э смещаются в прямом направлении, R мало, транзистор открыт и насыщен; б–к смещен в обратном направлении, но открыт. 2. Если на x1 и x2 подана “1”, то б–э смещены в обратном направлении, R велико, а б–к смещен в прямом направлении (R мало). Рассмотрим назначение VT2 Если замкнуть R3 на корпус и сделать два разрыва (как показано на рис.4). VT2 предназначен для управления VT3 и VT4. В насыщенном состоянии ток Iэ VT2=Iк+Iб (IнVT2 < Iн VT4). Если в точке k «–», то в точке с «–». VT3(ЭП) ЭП имеет Rвых малое при любой нагрузке в эмиттерной цепи. Rвых при выключенном ЛЭ также мало. В случае воздействия на вход «0» закрывается VT3. Этим исключается возможность протекания сквозного тока от источника питания через открытые VT3 и VT4. В случае открытого VT3 VD3 закрывается, т.е. отсутствует недостаток простого инвертора, т.е. мощность потребления меньше. 1 случай U1 = U2 = U1 ® “1” (б-э)VT1 смещены в обратном направлении. (б-к)VT1 смещён в прямом направлении. Þ VT1 работает в активном инверсном режиме. Потенциал т. а достаточен, чтобы открыть переход (б-к )VT1, (б-э)VT2, (б-э)VT5 и (б-э)VT4. При открытом p-n переходе VT2 открыт и насыщен Ток протекает по цепи: «+»ИП ® R2 ® (к-э)VT2о.н. ® R3 ®VT5 ® корпус ÷ R4 ö VT4 открывается напряжением Uc. Оно создается после открытия VT2 и VT5 током эмиттера VT2. Корректирующая цепочка предназначена для защиты от статических помех (для увеличения ) по сравнению с ЛЭ без корректирующей цепочки за счет изменения формы. В интересах повышения помехоустойчивости используется VT2 (это VD4 в схеме ДТЛ) (б-э)VT1 ® VD4 ДТЛ (б-э)VT2 ® VD3 ДТЛ Uколлектора насыщения VT4=0,1В 2 случай Если на один из входов подать уровень напряжения, соответствующим логическому «0», то через переход (б-э)VT1 ток протечет по цепи: «+»ИП ® R1 ® (б-э)VT2 ® X1 ® корпус Ua = U(б-э)откр.VT1 + UX1 = 0,8 + 0,2 = 1В Uk = Ua – U(к-э)VT1 ­= 1 – 0,1 = 0,9В VT2-VT4 – закрыты При VT2 закрытом Uб » UИП = 5В. VT3, VD3 открыты, Þ Uy = UИП – U(б-э )VT3 – UVD3о = = 5–1,6 = 3,4В Параметры ТТЛ со сложным инвертором Основным параметром в статическом режиме является , , Рпот.ср. (средняя потребляемая мощность). на VT3 мало Þ Kраз высок! Рис. 6 при X2 ЛЭ включен, т.е. VT2 и VT4 открыты и насыщены. VT3 и VD3 закрыты. При Uвых = U0 Þ ЛЭ ТТЛ-типа с открытым коллектором Применение: в случае включения в выходной каскад таких компонентов, как реле, светодиод, трансформатор и т.д. и в случае включения резистора в коллекторную цепь с подачей более высокого напряжения питания (до 30В). Рис.7 ЛЭ ТТЛ-типа с 3-мя состояниями выхода Roff — высокое выходное сопротивление Рис.8 Фрагмент таблицы истинности:
X1X2X3Y
111

Roff

0101
Состав схемы: 1. Коньюнктор (VT1, R1). В точке 1 . 2. Сложный инвертор с корректирующей цепочкой: фазоразделительный каскад, корректирующая цепочка, ЭП. Кроме этих компонентов в схему включены VT6, R6, R7. Коллекторная цепь VT6 включена в коллекторную цепь VT2 в точке а. Это необходимо для реализации третьего состояния схемы. Рассмотрим принцип работы с использованием таблицы истинности. Пусть на входах высокий уровень (1 поз. таблицы). В этом случае VT6 открыт и насыщен. Сопротивление VT6 мало (составляет r вых VT6 = rн =5..20 Ом). Из этого следует, что U (к-э)нVT6 @ 0,2В. Þ Ua = 0,2В. Определим, какое U в т.1 Uк = UбVT2. VT1 – активный инверсный режим. U1 > Ua Þ VT2 – активный инверсный режим. Ток течет по цепи: «+»ИП ® R1 ® б-к VT1® б-к VT2 ® к-э VT6 ® корпус ® «–»ИП. U1 = U(б-к)оVT2 + U(к-э)насVT6 = 1В В этом случае закрыт VT5. Дальше цитата Тимошенко В.С.: «А в каком же состоянии VT4 и VD1? Да они же закрыты!!!». Þ на выходе высокое сопротивление R off. 2 позиция таблицы. VT6 закрыт, Rк-э высокое. Вывод: в случае подачи на вход X3 U0 при положительной логике VT6 закрыт и схема ЛЭ может иметь 2 состояния – включенное и выключенное. Базовые ЛЭ ЭСЛ-типа 500-ой серии. Достоинства: ЛЭ ЭСЛ-типа применяются в быстродействующих устройствах, т.к. она (ЭСЛ) имеет малое tздр (время задержки). Это обусловлено: (1), где U л – логический перепад. (Примечание. Для ТТЛ с простым инвертором ) Если в (1) при Cн = const уменьшить Uл, то tздр уменьшается. ЛЭ ЭСЛ имеет малый уровень логического перепада, дост. Большой ток зарада C пар, Þ длительность положительного перепада схемы мала. Рассмотрим состав, принцип работы и назначение элементов схемы. При положительной логике U 1 = – 0,9В, U0 = – 1,7В, опорное напряжение . «ИЛИ–ИЛИ–НЕ» Рис.9 1. Токовый переключатель. 2. Источник опорного напряжения. 3. Эмиттерные повторители. 1. VT1, VT2 – левое плечо дифференциального усилителя. R1, R2, R5 R3, R4 – сопротивления утечки. На б VT1 и VT2 подаются входные сигналы. На б VT3 поступает опорное напряжение –1,3В. Uл = U1 – U0 = 0,8В 2. Делитель R7R8, диоды VD1 и VD2, ЭП VT4R6, VT3. 3. VT5R9 (R9 и R10 в схему ЛЭ в интегральном исполнении не входят). VT6R10 U(б-э)оVT5,6 = 0,8В Работа X1 = X2 = 0 U1 = – 0,9В U0 = – 1,7В Uоп = –1,3В VT1 и VT2 закрыты. Iк1,2 = 0. VT3 открыт. При этом Uc=–(U оп) + (–U(б-э)VT3) = (–1,3) + (–0,75) = = –2,05В Что с VT3? Проверим: (Uб – Uэ)VT3 = (–1,3) – (–2,05) = 0,75 — он открыт. (Uб – Uэ)VT1,2 = (–U0) – (–Uc ) = (–1,7) – (–2,05) = 0,35В < Uэз = 0,6В Þ VT1,2 – закрыты. Т.к. через R1 при закрытых VT1 и VT2 протекает ток IбVT5 (ЭП) по цепи: «+»ИП ® R1 ® б-э VT5® R9 ® «–»ИП Режим работы VT5 подобран так, что он всегда открыт и через него течет ток: «+»ИП ® R1 ® к-э VT5 ® R9 ® «–»ИП Uб-эVT5o = –0,8В Uy1 = (Ua + Uб-эVT5) = (–0,1) + (–0,8) = –0,9В ® U1 = – 0,9В Uc = Uб-эVT3o + Uоп = (–0,75) + (–1,3) = –2,05В через R2 протекает ток IкVT3, IбVT 6. Т.о. создается напряжение Uб = (IкVT3 + IбVT6) R2 = –0,9В Uy2 = Uб + Uб-эVT6o = (–0,9) + (–0,8) = –1,7В ИЛИ–НЕ В этом случае y2 = «0» ИЛИ y1 = «1» X1 = X2 = 1 В этом случае VT1,2 открыты, но ненасыщены Þ отсутствует избыточность зарядов в цепи базы Þ tздр мало. VT3 закрыт Uc = UX1,2 + Uб-эVT1,2o = (–0,9) + (–0,75) = –1,65В. Через R2 протекает только Iб. y1 = «0» y2 = «1» Источник опорного напряжения предназначен для создания стабильного напряжения (–1,3В). Включаются R7, R8. Т.к. температура изменяется, то требуется температурная компенсация VD1,2, VT4, R6 VD1,2 — для термокомпенсации (для обеспечения пропорционального изменения тока делителя). В точке d в зависимости от toC меняется потенциал. Работа источника опорного напряжения (ИОН). Если соединить базу VT3 с точкой d и убрать VD1,2 (закоротить), т.е. исключить VT4 (ЭП) и R6, чтобы мы имели . Когда VT3 открыт, то имеем недостаток: через R7 кроме Iдел протекает IбVT7 Þ (Iдел + IбVT3) R7 = , IбVT3 = I ( to ) Как видно, постоянство опорного напряжения на базе VT3 не обеспечивается. Для ликвидации этого недостатка вкл. VT4R6. Тогда через делитель R7R8 всегда протекает ток равный Iдел + IбVT4. Но и в этом случае не обеспечивается стабильность напряжения, т.к. IбVT4 = I ( to ). Существует необходимость ввести диоды VD1,2, в которых R меняется в зависимости от изменения to Þ изменяется ток I дел. Этим компенсируется изменение токов IбVT4 и I бVT3 от температуры и обеспечивается температурная стабилизация. Определим потенциал т. d. Т.к. UбVT3 = Ud + Uб-эVT4, то Ud = –Uб-эVT4 + UбVT3 = –(Uоп) – (–Uб-эVT4) = –1,3 – (–0,75) = –0,55В ÷Uоп